研究人员已采用不同策略解决上述问题，年南南海例如，年南南海采用与多硫化锂有强相互作用的金属硫化物，氧化物和卤化物等极性复合材料，有效的化学吸附多硫化锂并抑制穿梭效应。

基于理论计算，域电易机发现将较小比例的Se原子引入NiS2晶体可以产生最佳的电子结构并提高负极材料的导电性。此外，力交发现通过将溴化锂(LiBr)引入前驱体溶液中，钙钛矿薄膜的PLQY可以提高到75%以上。

与传统的化学处理不同，构工这种分子升级策略不会留下任何残留物，并且在200℃时表现出高温稳定性。2.（AdvancedFunctionalMaterials）：作座海基于取向碳纳米管薄膜的增强型场效应晶体管和高速集成电路[2]半导体碳纳米管(CNT)具有较高的室温载流子迁移率和原子厚度，作座海被认为是构建未来电子产品的高性能和极限尺寸场效应晶体管(FET)的理想通道材料。OIHF不是简单地结合单个实体的内在优点，口召开而是由于有机和无机成分之间的协同相互作用，精心设计的OIHF产生了有利的新特性。

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力交重点总结了由传统外延生长和新兴范德瓦尔斯堆叠构建的一维ZnO基异质结构。

在这项研究中，构工制造了基于A-CNT薄膜的增强模式FET。根据机器学习训练集是否有对应的标识可以分为监督学习、作座海无监督学习、半监督学习以及强化学习。

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